異種デバイス集積化(ヘテロジニアスインテグレーション)についても詳しく解説！
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
１．多層配線技術の役割とスケーリング，材料・構造・プロセスの変遷
1.1 多層配線の役割と要求，階層構造，フロアプランの実例
1.2 配線長分布と配線階層(Local, Intermediate,(Semi-)Global)毎のRC寄与度の違い
1.3 下層(Local)・中層(Intermediate)及び上層((Semi-)Global)配線のスケーリング理論
1.4 多層配線技術の進化の足跡
1.5 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
２．微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎～最新動向
2.1 配線プロセスの変遷(Al-RIE⇒Cuダマシン)
2.2 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
2.3 Cu酸化拡散防止膜(バリアメタル)の要件と材料候補(Ta(N),Ti(N),Nb(N),W(N))
2.4 Ta(N)の課題(対Cu濡れ性,対酸化性)とTi(N)の優位性
2.5 バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
2.6 CVD-Ru，Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
2.7 Mnを利用した超薄膜バリア(MnSixOy)自己形成技術
2.8 Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法,
MOCVD法との比較, Additiveの重要性，役割，選定手法
2.9 CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類，適用工程の拡大
2.10 Cu-CMPにおける低機械強度Low-k対応施策
(低荷重, 複合粒子スラリー, Pad表面改質)
2.11 Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
2.12 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
2.13 W，Co，Ru，Mo，Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの
最新開発動向から見た有力候補
2.14 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
2.15 多層CNT(MWCNT)によるViaホールへの埋め込みと課題
2.16 多層グラフェン(MLG)による微細配線形成と低抵抗化検討結果
３．低誘電率(Low-k/Air-Gap)絶縁膜形成技術の基礎～最新動向
3.1 Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
3.2 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
3.3 ITRS(国際半導体技術ロードマップ委員会)Low-kロードマップの課題と大改訂
3.4 比誘電率(k)低減化の手法と材料候補(SiOF, MSQ/SiOC, PAr, BCBなど)
3.5 層間絶縁膜(ILD)構造の比較検討(Monolithic vs. Hybrid)
3.6 材料物性から見たLow-k材料の課題
(低機械強度, 低プラズマダメージ耐性など)
3.7 Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
3.8 Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
3.9 Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
3.10 Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解
４．ウエハ裏面への電源供給配線網(BS-PDN, PowerVia, SPR)の形成技術の最新動向
4.1ウエハ裏面への電源供給配線網(BS-PDN)形成の経緯・背景と特徴、課題
4.2 埋め込み電源線(BPR)と裏面の電源供給配線網(BS-PDN)の接続形態と構造
4.3 BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
4.4 BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
4.5 IntelによるPoweViaの概要と特徴, テストチップの評価結果、
20A世代からの採用計画
4.6 TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代(SF2Z)から
BSPDNを採用へ
５．2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎～最新動向
5.1 Si貫通孔(TSV)によるデバイス集積化のメリット
5.2 TSVを用いた3次元チップ積層の実例(DRAM/HBM，NAND/SSD)
5.3 メモリデバイスにおける積層化ロードマップ(チップ積層⇒ウエハ積層(貼合))
5.4 ウエハレベル貼合技術の種類と比較, 有力候補
5.5 ウエハレベル貼合技術の課題と対策(貼合の低温化，貼合前平坦化，ベベル制御)
5.6 チップレット技術による異種デバイス集積化とMooreの法則の継続
5.7 各種チップレット技術(CoWoS，InFO，EMIB，Foverosなど)の概要と特徴
5.8 各社のチップレット技術の整理と業界団体「UCIe」の設立
5.9 国内のコンソーシアム設立の動き(「PSB」, 「BB Cube 3D」, 「ASRA」, 「SATAS」)
5.10 ウエハレベルパッケージ(FO-WLP)技術の特長と変遷，代表的なプロセス
5.11 FO-WLPとPLPの使い分け，FO-PLPの要求仕様
5.12 FO-PLPにおける微細再配線(RDL)の低コスト形成プロセスの候補
5.13 5G以降の高周波対応低伝送損失絶縁材料の候補
5.14 パッケージ基板の最新開発動向(樹脂・シリコン基板⇒ガラス基板)
5.15 CoC, CoW, WoWの主要アプリとPros/Cons,
先進パッケージ技術のロードマップと市場動向
６．総括