【第1部】「半導体露光技術の発展とEUVリソグラフィ」
10：00～12：00
半導体デバイス発展とリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与について数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方の基礎を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。更に、多層膜ミラーを用いた反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。
1．高集積度化のトレンドとリソグラフィの位置づけ
2．半導体露光装置の露光方式の進化
3．露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
（部分的コヒーレンス理論、解像度向上策、重ね合わせ精度、スループットを含む）
4．EUV露光装置
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【第2部】「半導体技術の時代動向と半導体用後工程レジストの開発について」
13：00～16：00
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製（レジスト塗布、露光、現像）、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
本講演では、特にレジスト材料（感光性樹脂）・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分（ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤）ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。
・感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
・感光性レジストとは?
・リソグラフィーについて
・フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク（PEB）、現像工程の概要
・レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
・半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
・レジストの基本原理
・レジストの現像特性
・ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
・レジスト現像アナライザ（RDA）を用いた現像特性評価
・ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
・PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
・ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
・化学増幅ポジ型レジストの材料設計
・化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
・ベース樹脂
・溶解抑制剤
・酸発生剤
・化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
・化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
・EUVレジストへの展開
・i線厚膜レジストへの展開