セミナー概要

略称

ALD【アーカイブ配信】

セミナーNo.

250639A

配信開始日

2025年06月17日（火）

配信終了日

2025年07月01日（火）

主催

（株）R＆D支援センター

問い合わせ

Tel：03-5857-4811　E-mail：[email protected]　問い合わせフォーム

講師

奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究領域　
情報機能素子科学研究室　教授　博士（工学）浦岡行治　氏
【専門】
半導体プロセス・デバイス
【活動】
応用物理学会フェロー
IEEEフェロー
AMFPD国際会議実行委員長
薄膜材料デバイス研究会組織委員

価格

非会員： 55,000円（本体価格：50,000円）
会員： 49,500円（本体価格：45,000円）
学生： 55,000円（本体価格：50,000円）

価格関連備考

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から
★1名で申込の場合、49,500円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円（2人目無料）です。
★3名以上同時申込は1名につき27,500円（税込）です。
■ 会員登録とは？　⇒　よくある質問

備考

・こちらは6/16実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

・配信開始日以降に、セミナー資料（PDF）と動画のURLをメールでお送りします。セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

講座の内容

受講対象・レベル

・半導体プロセス・デバイスの初学者
・ALD技術の導入を検討している技術者
・本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能。

習得できる知識

・ALD/ALE技術の基礎
・薄膜形成技術の基礎
・薄膜加工技術の基礎
・薄膜を使った半導体デバイスの動作原理
・薄膜デバイスの信頼性評価方法

趣旨

AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

プログラム

１．薄膜形成技術
　　1.1　薄膜作製/加工の基礎
　　1.2　薄膜の評価手法
　　　1.2.1　電気的評価
　　　1.2.2　化学的分析手法
　　　1.2.3　光学的評価手法
２．ALD/ALE技術の基礎
　　2.1　ALD技術の原理
　　2.2　ALD薄膜の特長
　　2.3　ALD技術の歴史
　　2.4　ALD装置の仕組み
　　2.5　ALD技術の材料
　　2.6　ALE技術の基礎
　　2.7　ALE技術の課題
３．ALD/ALE技術の応用
　　3.1　パワーデバイスへの応用
　　3.2　酸化物薄膜トランジスへの応用
　　3.3　MOS LSIへの応用
　　3.4　太陽電池への応用
４．ALD/ALE技術の将来
　　4.1　ALD/ALE技術の課題
　　4.2　ALD/ALE技術の展望

キーワード

パワーエレクトロニクス,ALD,Atomic Layer Deposition,原子層

ALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術の基礎と応用【アーカイブ配信】

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